番号	概　要

80	査読	＊
	著者	M.Koike, Y.Kamimta. E.Kurosawa, T.Tezuka
	タイトル	NiGe/n+Ge Junctions with Ultralow Contact Resistivity Formed by Two-step P-ion Implantation
	誌名	APPLIED PHYSICS EXPRESS
	巻・号(年)頁	in press

79	査読	＊
	著者	M.Sato, M.Takahashi, H.Nakano, Y.Takakuwa, M.Nihei, S.Sato, N.Yokoyama
	タイトル	Intercalated Multilayer Graphene Wires and Metal/Multilayer Graphene Hybrid Wires Obtained by Annealing Sputtered Amorphous Carbon
	誌名	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
	巻・号(年)頁	Vol.53 (2014) pp. 04EB05

78	査読	＊
	著者	Shu Nakaharai, Tomohiko Iijima, Shinichi Ogawa, Song-Lin Li, Kazuhito Tsukagoshi, Shintaro Sato, and Naoki Yokoyama
	タイトル	Electrostatically-Reversible Polarity of Dual-Gated Graphene Transistors
	誌名	IEEE Transactions on Nanotechnology
	巻・号(年)頁	in press

77	査読	＊
	著者	J. Wipakorn, T. Maeda, N. Miyata, M. Oda, T. Irisawa, T. Tezuka, T. Yasuda
	タイトル	Self-Limiting Growth of Ultrathin Ga2O3 for the Passivation of Al2O3/InGaAs Interfaces
	誌名	APPLIED PHYSICS EXPRESS
	巻・号(年)頁	Vol. 7 No.1 (2013) pp.011201-1

76	査読	＊
	著者	J.Tominaga, A.V.Kolobov, P.Fons, T.Nakano, S.Murakami
	タイトル	Ferroelectric Order Control of the Dirac-Semimetal Phase in GeTe-Sb2Te3 Superlattices
	誌名	Advanced Materials Interfaces
	巻・号(年)頁	in press

75	査読	＊
	著者	Katsunori Yagi, Ayaka Yamada, Kenjiro Hayashi, Naoki Harada, Shintaro Sato and Naoki Yokoyama
	タイトル	Dependence of Field-Effect Mobility of Graphene Grown by Thermal Chemical Vapor Deposition on its Grain Size
	誌名	Japanese Journal of Applied Physics
	巻・号(年)頁	Vol. 52 (2013) pp. 110106

74	査読	＊
	著者	T.Mori, T.Yasuda, K.Fukuda, Y.Morita, S.Migita, A.Tanabe, T.Maeda, W.Mizubayashi, S.O’uchi, Y.Liu, M.Masahara, N.Miyata, H.Ota
	タイトル	Unexpected equivalent-oxide-thickness dependence of the subthreshold swing in tunnel field-effect transistors
	誌名	APPLIED PHYSICS EXPRESS
	巻・号(年)頁	Vol. 7 (2014) pp. 024201

73	査読	＊
	著者	N.Harada, S.Sato, N.Yokoyama
	タイトル	Computational study on electrical properties of transition metal dichalcogenide field-effect transistors with strained channel
	誌名	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
	巻・号(年)頁	Vol. 115 (2014) pp. 034505

72	査読	＊
	著者	H. Nakano, M. Takahashi, M. Sato, M. Kotsugi, T. Ohkochi, T. Muro, M. Nihei, and N. Yokoyama
	タイトル	Picoampere Resistive Switching Characteristics Realized with Vertically Contacted Carbon Nanotube Atomic Force Microscope Probe
	誌名	Japanese Journal of Applied Physics
	巻・号(年)頁	Vol.52 (2013) pp.110104

71	査読	＊
	著者	Yen-Fu Lin, W.Li, S.-L.Li, Y. Xu, A.Aparecido-Ferreira, K.Komatsu, H.Sun, S.Nakaharai, K.Tsukagoshi
	タイトル	Barrier inhomogeneities at vertically stacked graphene-based heterostructures
	誌名	Nanoscale
	巻・号(年)頁	Vol. 6 No.2 (2014) pp. 795

70	査読	＊
	著者	M.Sato, S.Ogawa, M.Inukai, E.Ikenaga, T.Muro, Y.Takakuwa, M.Nihei, N. Yokoyama
	タイトル	Electrical Properties and Reliability of Networked-Nanographite Wires Grown on SiO2 Dielectric without Catalysts for Multi-layer Graphene Interconnects
	誌名	MICROELECTRONIC ENGINEERING
	巻・号(年)頁	Vol. 112 (2013) pp.110

69	査読	＊
	著者	T.Shintani, T.Saiki
	タイトル	Dependence of Switching Characteristics of GeTe/Sb2Te3 Superlattice Phase Change Materials on Electric Pulse Width and Optical Polarization Direction
	誌名	APPLIED PHYSICS EXPRESS
	巻・号(年)頁	Vol.6 (2013) pp.111401

68	査読	＊
	著者	K.Fukuda, T.Mori, W.Mizubayashi, Y.Morita, A.Tanabe, M.Masahara, T.Yasuda, S.Migita, H.Ota
	タイトル	A compact model for tunnel field-effect transistors incorporating nonlocal band-to-band tunneling
	誌名	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
	巻・号(年)頁	Vol.114 (2013) pp.144512

67	査読	＊
	著者	A. Kawabata, T. Murakami, M. Nihei and N. Yokoyama
	タイトル	Long Length, High-Density Carbon Nanotube Film Grown by Slope Control of Temperature Profile for Applications in Heat Dissipation
	誌名	Japanese Journal of Applied Physics
	巻・号(年)頁	Vol.52 (2013) pp.110117

66	査読	＊
	著者	H.Oomine, D.H.Zadeh, K.Kakushima, Y.Kataoka, A.Nishiyama, N.Sugii, H.Wakabayashi, K.Tsutsui, K.Natori, H.Iwai
	タイトル	Electrical characterization of atomic layer deposited La2O3 films on In0.53Ga0.17As substrates
	誌名	ECS Transactions
	巻・号(年)頁	Vol.58 No.7 (2013) pp.385

65	査読	＊
	著者	H.S.Song, S.-L.Li, L.Gao, Y. Xu, K.Ueno, Y.B.Cheng, K.Tsukagosh
	タイトル	High-Performance Top-Gated Monolayer SnS2 Field-Effect Transistors and Their Integrated Logic Circuits
	誌名	Nanoscale
	巻・号(年)頁	Vol.5 No.20 (2013) pp. 9666-9670

64	査読	＊
	著者	M.-Y. Chan, K. Komatsu, S.-L.Li, Y.Xu, P.Darmawan, H.Koramochi, S.Nakaharai, K.Watanabe, T.Taniguchi, K.Tsukagoshi
	タイトル	Suppression of thermally activated carrier transport in atomically thin MoS2 on crystalline hexagonal Boron Nitride substrates
	誌名	Nanoscale
	巻・号(年)頁	Vol.5 No.20 (2013) pp. 9572

63	査読	＊
	著者	N.Harada, S.Sato, N.Yokoyama
	タイトル	Theoretical Investigation of Graphene Nanoribbon FETs Designed for Digital Applications
	誌名	Japanese Journal of Applied Physics
	巻・号(年)頁	Vol.52 (2013) pp.094301

62	査読	＊
	著者	R.Ifuku, K. Nagashio, T. Nishimura, and A. Toriumi
	タイトル	The density of states of graphene underneath a metal electrode and its correlation with the contact resistivity
	誌名	Appl. Phys. Lett.
	巻・号(年)頁	Vol. 103 No. (2013) pp. 033514

61	査読	＊
	著者	T. Moriyama, K. Nagashio, T. Nishimura, and A. Toriumi
	タイトル	Carrier density modulation in graphene underneath the Ni electrode
	誌名	J. Appl. Phys.
	巻・号(年)頁	Vol. 114 No. (2013) pp. 024503

60	査読	＊
	著者	S.-L. Li, K.Wakabayashi, Y.Xu, Y.-F.Lin. M.Y.Chen, K.Komatsu, S.Nakaharai, A.Aparecido-Ferreira, W.W. Li, K.Tsukagoshi
	タイトル	Thickness-Dependent Interfacial Coulomb Scattering in Atomically Thin Field-Effect Transistors
	誌名	Nano Letters
	巻・号(年)頁	Vol.13 No.8 (2013) pp. 3546

59	査読	＊
	著者	W.Li, S-L.Li, K.Komatsu, A.A-Ferreira, Y-F. Lin, Y.Xu, M.Osada, T.Sasaki, K.Tsukagoshi
	タイトル	Realization of graphene field-effect transistor with high-j HCa2Nb3O10 nanoflake as top-gate dielectric
	誌名	Applied Physics Letters
	巻・号(年)頁	Vol.7 No.7 (2013) pp.7381

58	査読	＊
	著者	S-L.Li, H.Miyazaki, H.Song, H.Kuramochi, S.Nakaharai, K.Tsukagoshi
	タイトル	Quantitative Raman Spectrum and Reliable Thickness Identification for Atomic Layers on Insulating Substrates
	誌名	ACS NANO
	巻・号(年)頁	Vol.7 No.7 (2013) pp.7381

57	査読	＊
	著者	S.Nakaharai, T.Iijima, S.Ogawa, S.Suzuki, S-L. Li, K.Tsukagoshi, S.Sato, N.Yokoyama
	タイトル	Conduction Tuning of Graphene Based on Defect-Induced Localization
	誌名	ACS NANO
	巻・号(年)頁	Vol.7 No.7 (2013) pp.5694

56	査読	＊
	著者	Y Takagaki, A Giussani, J Tominaga, U Jahn, R Calarco
	タイトル	Transport properties in a Sb–Te binary topological-insulator system
	誌名	Journal of Physics: Condensed Matter
	巻・号(年)頁	Vol.25 (2013) pp.345801

55	査読	＊
	著者	S.Soeya, T.Shintani, T.Odaka, R.Kondou, J.Tominaga
	タイトル	Ultra-low switching power, crystallographic analysis, and switching mechanism for SnXTe100-X/Sb2Te3 diluted superlattice system
	誌名	Applied Physics Letters
	巻・号(年)頁	Vol.103 (2013) pp.053103

54	査読	＊
	著者	M.Inukai, E.Ikenaga, T.Muro , S.Ogawa, Y.Ojiro, Y.Takakuwa, M.Sato, M.Nihei, N.Yokoyama
	タイトル	Spectroscopic Analysis of Graphitization and Grain Orientation of Carbon Films Grown by Photoemission-Assisted Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
	誌名	Japanese Journal of Applied Physics
	巻・号(年)頁	Vol. 52 (2013) pp. 065503

53	査読	＊
	著者	K. Tanaka, N. Aratani, D. Kuzuhara, S. Sakamoto, T. Okujima, N. Ono, H. Uno, H. Yamada
	タイトル	A soluble bispentacenequinone precursor for creation of directly 6,6′-linked bispentacenes and a tetracyanobipentacenequinodimethane
	誌名	RSC Adv.
	巻・号(年)頁	Vol. 3 No. (2013) pp. 15310

52	査読	＊
	著者	N. Nagamura, K. Horiba, S. Toyoda, S. Kurosumi, T. Shinohara, M. Oshima, H. Fukidome, M. Suemitsu, K. Nagashio, A. Toriumi
	タイトル	Direct observation of charge transfer region at interfaces in graphene devicve
	誌名	Appl. Phys. Lett.
	巻・号(年)頁	Vol. 102 No. (2013) pp. 241604

51	査読	＊
	著者	Y. Morita, S. Migita, W. Mizubayashi, M. Masahara, and H. Ota
	タイトル	Two-step annealing effects on ultrathin EOT higher-k (k = 40) ALD-HfO2 gate stacks
	誌名	Solid-State Electronics
	巻・号(年)頁	Vol.84 (2013) pp.58

50	査読	＊
	著者	K.Usuda, T.Tezuka, D.Kosemura, M.Tomita, A.Ogura
	タイトル	Characterization of anisotropic strain relaxation after isolation for strained SGOI and SiGe/Si structure with newly developed high-NA and oil-immersion Raman method
	誌名	Solid-State Electronics
	巻・号(年)頁	Vol.83 (2013) pp.46

49	査読	＊
	著者	Y.Moriyama, K.Ikeda, Y.Kamimuta, M.Oda, T.Irisawa, Y.Nakamura, A.Sakai, T.Tezuka
	タイトル	Fabrication of bonded GeOI substrates with thin Al2O3/SiO2 buried oxide layers
	誌名	Solid-State Electronics
	巻・号(年)頁	Vol. 83 (2013) pp.42

48	査読	＊
	著者	Y. Morita, T. Mori, S. Migita, W. Mizubayashi, A. Tanabe, K. Fukuda, M. Masahara, H. Ota
	タイトル	Tunnel Field-Effect Transistor with Epitaxially Grown Tunnel Junction Fabricated by Source/Drain-First and Tunnel-Junction-Last Processes
	誌名	Japanese Journal of Applied Physics
	巻・号(年)頁	Vol.52 (2013) pp.04CC25

47	査読	＊
	著者	M.Sato, M.Takahashi, H.Nakano, T.Muro, Y.Takakuwa, S.Sato, M.Nihei, N.Yokoyama
	タイトル	High-Current Reliability and Growth Conditions of Multilayer Graphene Wire Obtained by Annealing Sputtered Amorphous Carbon
	誌名	Japanese Journal of Applied Physics
	巻・号(年)頁	Vol.52 No.4 (2013) pp.04CB07

46	査読	＊
	著者	A.Kawabata, T.Murakami, M.Nihei, N.Yokoyama
	タイトル	Growth of Dense, Vertical and Horizontal Graphene and its Thermal Property
	誌名	Japanese Journal of Applied Physics
	巻・号(年)頁	Vol.52 No.4 (2013) pp.04CB06

45	査読	＊
	著者	M.Tomita, M.Nagasaka, D.Kosemura, K.Usuda, T.Tezuka, A.Ogura
	タイトル	Tensor Evaluation of Anisotropic Stress Relaxation in Mesa-shaped SiGe Layer on Si Substrate by EBSP
	誌名	Japanese Journal of Applied Physics
	巻・号(年)頁	Vol.52 No.4 (2013) pp.04CA06

44	査読	＊
	著者	D.Kosemura, M.Tomita, K.Usuda, T.Tezuka, A.Ogura
	タイトル	Measurements of Anisotropic Biaxial Stresses in Si1-xGex/Si Mesa Structures by Oil-Immersion Raman Spectroscopy
	誌名	Japanese Journal of Applied Physics
	巻・号(年)頁	Vol.52 No.4 (2013) pp.04CA05

43	査読	＊
	著者	S.Migita, Y.Morita, M.Masahara, H.Ota
	タイトル	Fabrication and Demonstration of 3-nm-Channel-Length Junctionless Field-Effect Transistors on Silicon-On-Insulator Substrates Using Anisotropic Wet Etching and Lateral Diffusion of Dopants
	誌名	Japanese Journal of Applied Physics
	巻・号(年)頁	Vol.52 No.4 (2013) pp.04CA01

42	査読	＊
	著者	Junichi Yamaguchi, Kenjiro Hayashi, Shintaro Sato, and Naoki Yokoyama
	タイトル	Passivating chemical vapor deposited graphene with metal oxides for transfer and transistor fabrication processes
	誌名	Applied Physics Letters
	巻・号(年)頁	Vol.102 No.14 (2013) pp.143505

41	査読	＊
	著者	M.Krbal, A.V.Kolobov, P.Fons, K.V.Mitrofanov, Y.Tamenori, J.Hegedüs, S.R.Elliott, J.Tominaga
	タイトル	Selective detection of tetrahedral units in amorphous GeTe-based phase change alloys using Ge L3-edge x-ray appearance near-edge structure spectroscopy
	誌名	APPLIED PHYSICS LETTERS
	巻・号(年)頁	Vol.102 (2013) pp.111904

40	査読	＊
	著者	K.Johguchi, T.Shintani, T.Morikawa, K.Yoshioka, K.Takeuchi
	タイトル	x10 Fast Write, 80% Energy Saving Temperature Controlling Set Method for Multi-Level Cell Phase Change Memo-ries to Solve the Scaling Blockade
	誌名	Solid-State Electronics
	巻・号(年)頁	Vol. 81 (2013), pp. 78

39	査読	＊
	著者	T. Asano, Y. Shimura, O. Nakatsuka, and S. Zaima
	タイトル	Influence of Sn Incorporation and Growth Temperature on Crystallinity of Ge1-xSnx Layers Heteroepitaxially Grown on Ge(110) Substrates
	誌名	Thin Solid Films
	巻・号(年)頁	Vol531 (2013) pp.504-508

38	査読	＊
	著者	K.Hayashi, S.Sato, N.Yokoyama
	タイトル	Anisotropic graphene growth accompanied with step bunching on a dynamic copper surface
	誌名	NANOTECHNOLOGY
	巻・号(年)頁	Vol.24 No.2 (2013) pp.025603

37	査読	＊
	著者	A.Sakai, S.Yamasaka, J.Kikkawa, S.Takeuchi, Y.Nakamura, Y.Moriyama, T.Tezuka, K.Izunome
	タイトル	Ge-on-insulator, wafer bonding, MOSFET, mobility, interface state density
	誌名	ECS Transaction
	巻・号(年)頁	Vol.50 (2013) pp.709-725

36	査読	＊
	著者	A.A.Ferreira, H.Miyazaki, S.Li, K.Komatsu, S.Nakaharai, K.Tsukagoshi
	タイトル	Enhanced current-rectification in bilayer graphene with an electrically tuned sloped bandgap
	誌名	NANOSCALE
	巻・号(年)頁	Vol.4 No.24 (2012) pp.7842

35	査読	＊
	著者	D.Kosemura, M.Tomita, K.Usuda, A.Ogura
	タイトル	Investigation of Phonon Deformation Potentials in Si1-xG0ex by Oil-Immersion Raman Spectroscopy
	誌名	APPLIED PHYSICS EXPRESS
	巻・号(年)頁	Vol.5 (2012) pp.111301

34	査読	＊
	著者	J.Tominaga, X.Wang, A.V.Kolobov, P.Fons
	タイトル	A reconsideration of the thermodynamics of phase-change switching
	誌名	Physica Status Solidi (b)
	巻・号(年)頁	Vol. 249 No.10 (2012) pp.1932

33	査読	＊
	著者	S.Li, H.Miyazaki, H.Song, H.Kuramochi, S.Nakaharai, K.Tsukagoshi
	タイトル	Quantitative Raman Spectrum and Reliable Thickness Identification for Atomic Layers on Insulating Substrates
	誌名	ACS NANO
	巻・号(年)頁	Vol.6 No.8 (2012) pp.7381

32	査読	＊
	著者	B.Sa, J.Zhou, Z.Sun, J.Tominaga, R.Ahuja
	タイトル	Topological Insulating in GeTe/Sb2Te3 Phase-Change Superlattice
	誌名	PHYSICAL REVIEW LETTERS
	巻・号(年)頁	Vol.109 No.9 (2012) pp.096802

31	査読	＊
	著者	S.Soeya, T.Shintani
	タイトル	Crystalline structure of GeTe layer in GeTe/Sb2Te3 superlattice for phase change memory
	誌名	Journal of Applied Physics
	巻・号(年)頁	Vol.112 (2012) pp.034301

30	査読	＊
	著者	K.Hayashi, S.Sato, M.Ikeda, C.Kaneda, N.Yokoyama
	タイトル	Selective graphene formation on copper twin crystals
	誌名	Journal of the American Chemical Society
	巻・号(年)頁	Vol.134 No.30 (2012) pp.12492

29	査読	＊
	著者	M.V. Lee, H.Hiura, H.Kuramochi, K.Tsukagoshi
	タイトル	Concerted Chemical-Mechanical Reaction in Catalyzed Growth of Confined Graphene Layers into Hexagonal Disks
	誌名	Journal of Physical Chemistry　C
	巻・号(年)頁	Vol. 116 No.16 (2012) pp.9106-9113

28	査読	＊
	著者	H.Miyazaki, S.Li, S.Nakaharai, K.Tsukagoshi
	タイトル	Unipolar transport in bilayer graphene controlled by multiple p-n interfaces
	誌名	APPLIED PHYSICS LETTERS
	巻・号(年)頁	Vol.100 No.16 (2012) pp.163115

27	査読	＊
	著者	M.Sato, M.Inukai, E.Ikenaga, T.Muro, S.Ogawa, Y.Takakuwa, H.Nakano, A.Kawabata, M.Nihei, N.Yokoyama
	タイトル	Fabrication of Graphene Directly on SiO2 without Transfer Processes by Annealing Sputtered Amorphous Carbon
	誌名	Japanese Journal of Applied Physics
	巻・号(年)頁	Vol. 51 (2012) pp.04DB01

26	査読	＊
	著者	M.Aizuddin(Keio Univ.), N.Harada, Y.Awano(Keio Univ.)
	タイトル	Monte Carlo Simulations of High Carrier Velocity Acceleration in Graphene Field Effect Transistors by Local Channel Width Modulation
	誌名	Applied Physics Express
	巻・号(年)頁	Vol. 5 (2012) pp.045102

25	査読	＊
	著者	H. S. Song, S. L. Li, H. Miyazaki, S. Sato, K. Hayashi, A. Yamada, N. Yokoyama, K. Tsukagoshi
	タイトル	Origin of the relatively low transport mobility of graphene grown through chemical vapor deposition
	誌名	Scientific Report
	巻・号(年)頁	Vol. 2 (2012) pp. 337/1-6

24	査読	＊
	著者	D.Kosemura, K.Usuda, M.Tomita, A.Ogusu
	タイトル	Evaluation of Anisotropic Strain Relaxation in SSOI Nanostructure by Oil-Immersion Raman Spectroscopys
	誌名	Japanese Journal of Applied Physics
	巻・号(年)頁	Vol.51 No.2 (2012) pp.02BA03

23	査読	＊
	著者	H.Miyazaki, S.-L.Li, H.Hiura, K.Tsukagoshi, A.Kanda
	タイトル	Observation of tunneling current in semiconducting graphene p-n junctions
	誌名	Journal of Physical Society of Japan
	巻・号(年)頁	Vol.81 No.1 (2012) pp.014708

22	査読	＊
	著者	Y.Shimura (Nagoya Univ.), T.Asano (Nagoya Univ.), O.Nakatsuka (Nagoya Univ.), and S.Zaima (Nagoya Univ.)
	タイトル	Crystallinity Improvement of Epitaxial Ge Grown on a Ge(110) Substrate by Incorporation of Sn
	誌名	Applied Physics Express
	巻・号(年)頁	Vol.5 No. (2012) pp.015501

21	査読	＊
	著者	H.Kuramochi, S.Odaka, K.Morita, S.Tanaka, H.Miyazaki, M.V.Lee, H.Hiura, K.Tsukagoshi
	タイトル	Role for Atomic Terraces and Steps of Epitaxial Graphene in Electron Transport Properties
	誌名	AIP advances
	巻・号(年)頁	Vol. 2 No. 1 (2012) pp. 012115/1-10

20	査読	＊
	著者	R.E.Simpson, P.Fons, A.V.Kolobov, M.Krabel, J.Tominaga
	タイトル	Enhanced crystallization of GeTe from an Sb2Te3 template
	誌名	APPLIED PHYSICS LETTERS
	巻・号(年)頁	Vol.100 (2012) pp.021911

19	査読	＊
	著者	S.Nakaharai, T.Iijima, S.Ogawa, H.Miyazaki(NIMS), S.-L.Li(NIMS), K.Tsukagoshi(NIMS), S.Sato, N.Yokoyama
	タイトル	Gate-Controlled P-I-N Junction Switching Device with Graphene Nanoribbon
	誌名	APPLIED PHYSICS EXPRESS
	巻・号(年)頁	Vol.5 (2012) pp.015101

18	著者	二瓶 瑞久、川端 章夫、佐藤 元伸、近藤 大雄、佐藤 信太郎、横山 直樹
	タイトル	カーボンナノチューブ／グラフェンによる電気インターコネクション技術
	誌名	電子情報通信学会誌
	巻・号(年)頁	平成23年12月号

17	査読	＊
	著者	H.Miyazaki, S.-L.Li, H.Hiura, K.Tsukagoshi, A.Kanda
	タイトル	Observation of tunneling current in semiconducting graphene p-n junctions
	誌名	Journal of Physical Society of Japan
	巻・号(年)頁	Vol. 81 No.1 (2012) pp. 014708/1-7

16	査読	＊
	著者	M.V.Lee, H.Hiura, A.Tyurnina, K.Tsukagoshi
	タイトル	Controllable Gallium Melt-Assisted Interfacial Graphene Growth on SiC
	誌名	Diamond and Related Materials
	巻・号(年)頁	Vol. 24 (2012) pp.34-38

15	査読	＊
	著者	D. Zade (TIT), T. Kanda (TIT), K. Yamashita (TIT), K. Kakushima (TIT), P. Ahmet (TIT), K. Tsutsui (TIT), A. Nishiyama (TIT), N. Sugii (TIT), K. Natori (TIT), T. Hattori (TIT), H. Nohira (TIT), H. Iwai (TIT)
	タイトル	Capacitance-voltage characterization of La2O3 metal-oxide-semiconductor structures on In0.53Ga0.47As substrate with different surface treatment methods
	誌名	Japanese Journal of Applied Physics
	巻・号(年)頁	Vol. 50 (2011) pp. 10PD03

14	査読	＊
	著者	J.Tominaga, R E.Simpson, P.Fons, A.V.Kolobov
	タイトル	Electrical-field induced gaint magnetoresistivity in (non-magnetic) phase change films
	誌名	APPLIED PHYSICS LETTERS
	巻・号(年)頁	Vol.99 (2011) pp.152105

13	査読	＊
	著者	R.E.Simpson, P.Fons, A.V.Kolobov, T.Fukaya, M.Krbal, T.Yagi, J.Tominaga
	タイトル	Interfacial phase-change memory
	誌名	nature nanotechnology
	巻・号(年)頁	Vol.6 (2011) pp.501–505

12	査読	＊
	著者	C.M.Orofeo(Kyushu Univ.), H.Ago(Kyushu Univ.), B.Hu(Kyushu Univ.), M.Tsuji(Kyushu Univ.)
	タイトル	Synthesis of large-area, homogeneous, single layer graphene by annealing amorphous carbon on Co and Ni
	誌名	Nano Res.
	巻・号(年)頁	Vol.4, 531-540 (2011)

11	査読	＊
	著者	S.-L.Li(NIMS), H.Miyazaki(NIMS), M.V.Lee(NIMS), C.Liu(NIMS), A.Kanda(Univ. Tsukuba), K.Tsukagoshi(NIMS)
	タイトル	Complementary-like Semiconducting Graphene Logic Gates Controlled by Electrostatic Doping
	誌名	Small
	巻・号(年)頁	VOl. 7, 1552-1556 (2011)

10	査読	＊
	著者	K. Nagashio, T. Yamashita, T. Nishimura, K. Kita and A. Toriumi
	タイトル	Electrical transport properties of graphene on SiO2 with specific surfacestructures
	誌名	Journal of Applied Physics
	巻・号(年)頁	Vol. 110 (2011) pp. 024513

9	査読	＊
	著者	K.Nagashio(Univ. Tokyo), A.Toriumi(Univ. Tokyo)
	タイトル	Density-of-States Limited Contact Resistance in Graphene Field-Effect Transistors
	誌名	Japanese Journal of Applied Physics
	巻・号(年)頁	Vol. 50 (2011) 070108

8	査読	＊
	著者	D.Zade(TIT), K.Kakushima(TIT), T.Kanda(TIT), Y.C.Lin(Chiao Tung Univ.), P.Ahmet(TIT), K.Tsutsui(TIT), A.Nishiyama(TIT), N.Sugii(TIT), E.Y.Chang(Chiao Tung Univ.), K.Natori(TIT), T.Hattori(TIT), H.Iwai(TIT)
	タイトル	Improving electrical characteristics of W/HfO2/In0.53Ga0.47As gate stacks by altering deposition techniques
	誌名	Microelectronic Engineering
	巻・号(年)頁	Vol. 88, pp. 1109-1112 (2011)

7	査読	＊
	著者	T.Mori, T.Yasuda, T.Maeda, W.Mizubayashi, S.Ouchi, Y.Liu, K.Sakamoto, M.Masahara, H.Ota
	タイトル	Tunnel field effect transistors with extremely low off-current using shadowing effect in drain implantation
	誌名	Japanese Journal of Applied Physics
	巻・号(年)頁	Vol. 50 (2011) 06GF14

6	査読	＊
	著者	N.Harada, Y.Awano(慶大), S.Sato, N.Yokoyama
	タイトル	Monte Carlo simulation of electron transport in a graphene diode with a linear energy band dispersion
	誌名	Journal of Applied Physics
	巻・号(年)頁	Vol.109 104509 (2011)

5	査読	＊
	著者	S.Sato, K.Yagi, D.Kondo, K.Hayashi, A.Yamada, N.Harada, N.Yokoyama
	タイトル	Large-Area Synthesis of Graphene by Chemical Vapor Deposition and Transfer-Free Fabrication of Field-Effect Transistors
	誌名	ECS Transactions
	巻・号(年)頁	Vol. 35 No. 3 (2011) pp. 219

4	査読	＊
	著者	T.Kanda(TIT), D.Zade(TIT), Y.–C.Lin(TIT), K.Kakushima(TIT), P.Ahmet(TIT), K.Tsutsui(TIT), A.Nishiyama(TIT), N.Sugii(TIT), E.Y.Chang(TIT), K.Natori(TIT), T.Hattori(TIT), H.Iwai(TIT)
	タイトル	Annealing Effect on the Electrical Properties of La2O3/InGaAs MOS Capacitors
	誌名	ECS Transactions
	巻・号(年)頁	Vol. 34, pp. 483-487 (2011)

3	著者	佐藤元伸，小川修一(東北大)，池永英司(JASRI)，高桑雄二(東北大)，二瓶瑞久，横山直樹
	タイトル	光電子制御プラズマCVD法で成膜したネットワークナノグラファイト配線
	誌名	電子情報通信学会技術研究報告
	巻・号(年)頁	SDM2010-222 pp.37-42

2	査読	＊
	著者	S.-L.Li(NIMS), H.Miyazaki(NIMS), H.Hiura(NIMS), C.Liu(NIMS), K.Tsukagoshi(NIMS)
	タイトル	Enhanced Logic Performance with Semiconducting Bilayer Graphene Channels
	誌名	ACS nano
	巻・号(年)頁	Vol.5, 500-506 (2011)

1	査読	＊
	著者	H.Ago(Kyushu Univ.), Y.Ito(Kyushu Univ.), N.Mizuta(Kyushu Univ.), K.Yoshida(Kyushu Univ.), B.Hu(Kyushu Univ.), C.M.Orofeo(Kyushu Univ.), M.Tsuji(Kyushu Univ.), K.Ikeda(Kyushu Univ.), S.Mizuno(Kyushu Univ.)
	タイトル	Epitaxial chemical vapor deposition growth of single-layer graphene over cobalt film crystallized on sapphire
	誌名	ACS Nano
	巻・号(年)頁	Vol.4, 7407-7414 (2010)