報道発表
番号 | 媒体の種類 | 放送チャンネル名・ 掲載媒体名等 |
番組名・掲載 見出し等 |
放送・掲載 年月日 |
掲載面等 |
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121 | 雑誌 | プラスチックスエージ 3 Vol.60 2014 Mar | 単層カーボンナノチューブ量産技術 | 2014.2.21 | p.26 |
120 | 雑誌 | 日経エレクトロニクス | 特集 炭素から新産業 | 2014.2.17 | p. 21-44 |
119 | web | J-Net21 (WEB) | 半導体型単層カーボンナノチューブを選択的に合成する技術開発に成功 −最大98%の高い選択率を実現− | 2014.2.17 | HP |
118 | 新聞 | 化学工業日報 | 半導体型単層CNTを選択的に合成 産総研が新技術 | 2014.2.13 | 8面 |
117 | web | EE Times Japan (WEB) | 産総研、半導体型単層カーボンナノチューブの選択的合成に成功 | 2014.2.13 | HP |
116 | web | マイナビニュース (WEB) | 産総研、金属触媒を予め調整する半導体型単層CNTの選択的合成技術を開発 | 2014.2.13 | HP |
115 | web | 日経バイオテクONLINE (WEB) | 産業技術総合研究所、半導体型単層カーボンナノチューブを選択的に合成する技術開発に成功-最大98%の高い選択率を実現- | 2014.2.13 | HP |
114 | web | 日経プレスリリース (WEB) | 産総研、半導体型単層カーボンナノチューブを選択的に合成する技術開発に成功 | 2014.2.13 | HP |
113 | web | 産総研プレスリリース | 半導体型単層カーボンナノチューブを選択的に合成する技術開発に成功 | 2014.2.12 | HP |
112 | 雑誌 | AEI Febrary 2014 | Graphene Replaces Copper in Ultra-Narrow LSI Wiring | 2014.2.1 | p. 68-69 |
111 | web | 日刊工業新聞 (WEB) | 産総研など、電子移動度を2倍に向上したInGaAsトランジスタ開発 | 2014.1.15 | HP |
110 | web | 日刊工業新聞 (WEB) | 産総研、3次元LSI向けゲルマニウム素子動作に成功-小型・高機能化に道 | 2013.12.18 | HP |
109 | 新聞 | 化学工業日報 | 多結晶Ge p、n両極性のトランジスタ動作に成功 | 2013.12.16 | 8面 |
108 | web | 日経ビジネスオンライン | ひらめき支える充実時間 平日は次世代LSIの研究開発にまい進 |
2013.12.13 | HP |
107 | 新聞 | 化学工業日報 | グラフェン微細配線開発 LSI銅配線を代替へ | 2013.12.13 | 8面 |
106 | web | 日刊工業新聞 (WEB) | 産総研、グラフェンで超微細配線を作製-断線に強く銅並み抵抗率 | 2013.12.13 | HP |
105 | web | 環境ビジネスオンライン (WEB) | カーボンナノチューブを使った集積回路の配線が新開発 1ケタ以上低い抵抗 | 2013.12.13 | HP |
104 | web | 日経バイオテクONLINE (WEB) | 独立行政法人 産業技術総合研究所、カーボンナノチューブのインプラントによる新たな配線作製技術 | 2013.12.13 | HP |
103 | web | マイナビニュース (WEB) | シリコン貫通電極への応用に期待! - 産総研、新たなCNT配線作製技術を開発 | 2013.12.13 | HP |
102 | web | マイナビニュース (WEB) | 産総研、多結晶Geでp/n両極性のトランジスタ動作に成功 - CMOS回路も視野に | 2013.12.13 | HP |
101 | 新聞 | 化学工業日報 | 産総研 高温合成で抵抗改善 CNT配線 製作の新技術 LSIなど応用へ |
2013.12.12 | 8面 |
100 | web | 日刊工業新聞 (WEB) | 産総研、CNTで配線作製-基板の微細穴に転写・挿入 | 2013.12.12 | HP |
99 | web | マイナビニュース (WEB) | 産総研、20nm幅の多層グラフェン配線を作製し、低抵抗、高信頼性を実証 | 2013.12.12 | HP |
98 | web | 日経プレスリリース (WEB) | 産総研、カーボンナノチューブを利用した新たな配線作製技術を開発 | 2013.12.12 | HP |
97 | web | J-Net21 (WEB) | カーボンナノチューブのインプラントによる新たな配線作製技術-LSI配線やシリコン貫通電極への応用に期待- | 2013.12.12 | HP |
96 | web | ASCII.jp (WEB) | チップの消費電力を1/100にするかもしれないカーボン系ナノ配線技術 | 2013.12.12 | HP |
95 | web | 日経バイオテクONLINE (WEB) | 産業技術総合研究所、20nm幅の高性能なグラフェン微細配線を開発-LSI銅微細配線の代替に期待- | 2013.12.12 | HP |
94 | web | 日経プレスリリース (WEB) | 産総研、多結晶ゲルマニウムでp、n両極性のトランジスタ動作に成功 | 2013.12.12 | HP |
93 | web | 産総研プレスリリース | 多結晶ゲルマニウムでp、n両極性のトランジスタ動作に成功 | 2013.12.12 | HP |
92 | web | 産総研プレスリリース | カーボンナノチューブ・インプラントによる新たな配線作製技術を開発 | 2013.12.11 | HP |
91 | web | マイナビニュース (WEB) | IEDM 2013 - 産総研、新構造で2倍性能が向上したInGaAsトランジスタを開発 | 2013.12.11 | HP |
90 | web | 日経バイオテクONLINE (WEB) | 産業技術総合研究所、InGaAsトランジスタの性能向上のための新構造を開発 | 2013.12.11 | HP |
89 | web | 日経プレスリリース (WEB) | 産総研、20nm幅の高性能なグラフェン微細配線を開発 | 2013.12.11 | HP |
88 | web | 産総研プレスリリース | 20nm幅高性能グラフェン微細配線を開発 | 2013.12.11 | HP |
87 | web | 化学工業日報 (WEB) | 産総研、住友化学など 高電子移動度トランジスタ開発 | 2013.12.10 | HP |
86 | web | 日経プレスリリース | 産総研と東工大など、InGaAsトランジスタの性能向上のための新構造を開発 | 2013.12.10 | HP |
85 | web | 産総研プレスリリース | InGaAsトランジスタの性能向上のための新構造を開発 | 2013.12.10 | HP |
84 | 新聞 | 日刊工業新聞 | 検証 最先端研究開発支援プログラム FIRST 産総研・横山直樹氏 【LSIナノテク】 消費電力 数十分の1に |
2013.10.16 | 21面 |
83 | 新聞 | 日刊工業新聞 | 検証 最先端研究開発支援プログラム FIRST 産総研・横山直樹氏【LSIナノテク】消費電力 数十分の1に |
2013.10.16 | 21面 |
82 | web | EDN Asia (WEB) | Tunnel FET architecture reduces IC power consumption | 2013.8.23 | HP |
81 | web | Nanowerk (WEB) | New tunnel FET architecture shows potential for substantial performance improvements | 2013.8.21 | HP |
80 | web | Phys.org (WEB) | Tunnel FET having a new architecture with potential for substantial improvement in performance | 2013.8.21 | HP |
79 | web | マイナビニュース (WEB) | 産総研など、多層グラフェンを用いた微細配線作製技術を開発 | 2013.6.18 | HP |
78 | 新聞 | 日刊工業新聞 | 産総研、多層グラフェン使い微細配線の作製技術を開発 | 2013.6.18 | 23面 |
77 | web | 日経プレスリリース (WEB) | 産総研、多層グラフェンを用いた微細配線作製技術を開発 | 2013.6.17 | HP |
76 | web | 産総研プレスリリース | 多層グラフェンを用いた微細配線作製技術を開発 | 2013.6.17 | HP |
75 | 新聞 | 日刊工業新聞 | 産総研、新構造のトンネルFET開発-動作電流は最大100倍 | 2013.6.13 | 21面 |
74 | 新聞 | 日刊工業新聞 | 産業技術研究所 ゲルマニウム素子のスイッチング特性 5ケタ超実証 | 2013.6.12 | 19面 |
73 | 新聞 | 化学工業日報 | 産業技術総合研究所が開発 新構造トンネルFET 10~100倍の動作電流 | 2013.6.12 | 8面 |
72 | 新聞 | 日刊工業新聞 | 産業技術総合研究所・住友化学 低電圧CMOS 動作実証 | 2013.6.11 | 21面 |
71 | 新聞 | 鉄鋼新聞 | 産業技術総合研究所と住友化学 超低消費電力LSI実現へ CMOSインバーター試作 |
2013.6.11 | 6面 |
70 | 新聞 | 日経産業新聞 | 動作電流、10~100倍 次世代トランジスタ開発 |
2013.6.11 | 9面 |
69 | web | 日刊工業新聞 (WEB) | 産総研・住化、LSIの低電力化に寄与するCMOSインバーター開発 | 2013.6.11 | HP |
68 | web | マイナビニュース | 産総研、3D IC向け多結晶Geトランジスタで5桁を超えるオンオフ比を実証 | 2013.6.10 | HP |
67 | web | マイナビニュース | 産総研、新構造のトンネルFETで従来比最大100倍の動作電流を得ることに成功 | 2013.6.10 | HP |
66 | web | マイナビニュース | 産総研など、GeとInGaAsを用いたCMOSインバータの動作を実証 | 2013.6.10 | HP |
65 | web | 日経プレスリリース | 産総研、新たな立体構造を採用した合成電界トンネルFETの動作を実証 | 2013.6.10 | HP |
64 | web | 日経プレスリリース | 産総研、3次元積層集積回路向け多結晶Geトランジスタで実用並みのスイッチング特性を実証 | 2013.6.10 | HP |
63 | web | 日経プレスリリース | 産総研、GeとInGaAsを用いたCMOSインバーターの動作を実証 | 2013.6.10 | HP |
62 | web | 産総研プレスリリース | 大幅な性能向上が期待できる新たな構造のトンネルFET | 2013.6.10 | HP |
61 | web | 産総研プレスリリース | 3次元積層集積回路のための多結晶ゲルマニウムトランジスタ | 2013.6.10 | HP |
60 | web | 産総研プレスリリース | GeとInGaAsを用いたCMOSインバーターの動作を実証 | 2013.6.10 | HP |
59 | 新聞 | 茨城新聞 | ナノテク英知結集 ICT省電力実現へ |
2013.4.28 | 1面 |
58 | 新聞 | 日経産業新聞 | インタビュー日本の頭脳7 LSI省電力化 横山直樹・産総研連携研究体長 新材料で「ムーア」超える |
2013.4.12 | 10面 |
57 | web | ExtremeTech | Researchers create CMOS-compatible, 30nm programmable graphene transistor | 2013.2.26 | HP |
56 | web | Printed Electronics World | Graphene transistor with a new operating principle | 2013.2.21 | HP |
55 | web | Nanowerk | Researchers fabricate a transistor with a channel length of 3 nanometers | 2013.2.19 | HP |
54 | web | Phys.Org | Success in operation of transistor with channel length of 3 nm | 2013.2.19 | HP |
53 | web | Phys.Org | Development of graphene transistor with new operating principle | 2013.2.19 | HP |
52 | web | AZoNano | AIST, NIMS Develop Novel Graphene Transistor | 2013.1.21 | HP |
51 | web | House of Japan | AIST Uses CNTs for TSVs by Improving Heat Conductivity | 2012.12.20 | HP |
50 | web | EDR,LLC | 産総研、チャネル長3nmのトランジスタ動作に成功 | 2012.12.17 | HP |
49 | 新聞 | 化学工業日報 | トランジスタ チャンネル長3ナノ実現 | 2012.12.14 | 8面 |
48 | 新聞 | 化学工業日報 | グラフェン用い新トランジスタ -低消費電力で高速動作 -回路形成後の構成変更も |
2012.12.13 | 8面 |
47 | web | マイナビニュース | IEDM 2012 - 産総研、チャネル長約3nmのトランジスタ動作実証に成功 | 2012.12.13 | HP |
46 | web | 日経プレスリリース | 産総研、チャネル長3nmのトランジスタ動作に成功 | 2012.12.12 | HP |
45 | web | 日刊工業新聞 | 産総研、チャネル長3nmのトランジスタ動作に成功 | 2012.12.12 | HP |
44 | web | 産総研プレスリリース | チャネル長3 nmのトランジスタ動作に成功 | 2012.12.12 | HP |
43 | 新聞 | 日刊工業新聞 | 産総研と物材機構、新動作原理のグラフェントランジスタ開発-電気制御で極性反転 | 2012.12.11 | 14面 |
42 | web | Tech-On! | 産総研などが4端子のロジック用グラフェン・トランジスタを作製 | 2012.12.11 | HP |
41 | web | EDR,LLC | 産総研、新しい動作原理のグラフェントランジスタを開発 | 2012.12.11 | HP |
40 | web | マイナビニュース | IEDM 2012 -産総研、約4桁の電流オン・オフ比のグラフェントランジスタを開発 | 2012.12.11 | HP |
39 | web | 日経プレスリリース | 産総研、極性を電気的に制御できる新しい動作原理のグラフェントランジスタを開発 | 2012.12.11 | HP |
38 | web | 産総研プレスリリース | 新しい動作原理のグラフェントランジスタを開発 | 2012.12.11 | HP |
37 | web | EDN Asia | AIST develops graphene conductivity control technique | 2012.11.27 | HP |
36 | web | ElectronicsOnline | Development of novel conduction control technique for graphene | 2012.11.23 | HP |
35 | web | Innovations Report | Researchers have developed a novel technique for controlling the electrical conductivity of graphene. | 2012.11.19 | HP |
34 | web | AZoNano | Innovative Technique to Control Electrical Conductivity of Graphene | 2012.11.17 | HP |
33 | web | Nanowerk | A novel conduction control technique for graphene | 2012.11.16 | HP |
32 | 新聞 | 科学新聞 | グラフェンの伝導制御技術-産総研・物材機構など開発- | 2012.10.5 | 4面 |
31 | web | マイナビニュース (WEB) | 産総研など、グラフェンで室温動作のスイッチングトランジスタを作成 | 2012.9.26 | HP |
30 | 新聞 | 日刊工業新聞 | グラフェン電気伝導制御 -産総研と物材機構 室温でオン・オフ動作- |
2012.9.26 | 22面 |
29 | web | マイナビニュース (WEB) | 産総研、トンネルFET実現に向けた回路シミュレータ用素子動作モデルを開発 | 2012.9.26 | HP |
28 | 新聞 | 化学工業日報 | 産総研 トンネルFET 素子動作モデル開発 -省電力LSI回路に道- | 2012.9.26 | 4面 |
27 | 新聞 | 日刊工業新聞 | トンネル電界効果素子の回路設計用動作モデルを開発 | 2012.9.26 | 22面 |
26 | web | 産総研プレスリリース | グラフェンの新しい伝導制御技術を開発 | 2012.9.25 | HP |
25 | web | 産総研プレスリリース | トンネル電界効果トランジスタの素子動作モデルを開発 | 2012.9.25 | HP |
24 | 新聞 | 化学工業日報 | LSI 省電力化に貢献 産業技術総合研究所が開発 ひずみGeナノトランジスタ | 2012.6.13 | 8面 |
23 | web | マイナビニュース (WEB) | 産総研、高性能歪みゲルマニウムナノワイヤトランジスタを開発 | 2012.6.12 | HP |
22 | 新聞 | 日刊工業新聞 | LSI 省電力技術向上 VLSIシンポジウム2012 | 2012.6.12 | 23面 |
21 | web | 日刊工業新聞 (WEB) | VLSIシンポ2012/産総研、圧縮ひずみ高めるナノワイヤトランジスタ | 2012.6.12 | HP |
20 | web | 日本経済新聞 (WEB) | 産総研、高性能ひずみゲルマニウムナノワイヤトランジスタを実現 | 2012.6.11 | HP |
19 | web | 産総研プレスリリース | 高性能ひずみゲルマニウムナノワイヤトランジスタを実現 | 2012.6.11 | HP |
18 | 雑誌 | 産総研 TODAY | 非磁性相変化固体メモリーから巨大磁気抵抗効果 | 2012.6.1 | vol.12 no.6 pp.21 |
17 | 新聞 | 電波新聞 | アイクストロンSE 300ミリウエハー上にグラフェン製造 | 2012.4.13 | 1面 |
16 | web | Solid State Technology | Graphene grown on 300mm wafers with AIXTRON tool in Japan | 2012.4.12 | HP |
15 | web | electronicsfeed.com | Japan's AIST uses Aixtron System | 2012.4.12 | HP |
14 | web | Semiconductor Today | Japan's AIST achieves graphene production on 300mm wafers using Aixtron system | 2012.4.11 | HP |
13 | 雑誌 | リーチレター No.597 | 科学の知識 相変化固体メモリーから巨大磁気抵抗効果が出現 | 2011.11.30 | p.8-11 |
12 | 新聞 | 映像新聞 | 産総研 超高密度記録へ 常温で2000%磁気抵抗効果を発見 | 2011.10.31 | 13面 |
11 | web | つくばサイエンス ニュース |
相変化メモリーが巨大磁気抵抗効果示すことを発見 | 2011.10.26 | HP |
10 | web | ナノテクジャパン (トピックス) |
相変化固体メモリから巨大磁気抵抗効果が出現~常温で2000%を越える磁気抵抗比~ | 2011.10.24 | HP |
9 | web | EDR,LLC (業界最新ニュース) |
産総研、PCRAMが常温で巨大な磁気抵抗効果を示すことを発見 | 2011.10.17 | HP |
8 | 新聞 | 日刊工業新聞 | "相変化メリー 常温で巨大な磁気抵抗効果" |
2011.10.17 | 19面 |
7 | web | セキュリティオンラインニュース | 相変化固体メモリーから巨大磁気抵抗効果が出現 | 2011.10.14 | HP |
6 | web | マイコミジャーナル | 産総研、PCRAMとMRAMを統合した不揮発性メモリの実現に向けた技術を発表 | 2011.10.14 | HP |
5 | web | 日本経済新聞 電子版 | 産総研、相変化固体メモリーが常温で巨大な磁気抵抗効果を示すことを発見 | 2011.10.14 | HP |
4 | web | プレスリリース | 相変化固体メモリーから巨大磁気抵抗効果が出現 | 2011.10.14 | HP |
3 | 雑誌 | 日経エレクトロニクス | 実用化競争に入ったグラフェン 「神の材料」の応用例が続々 |
2010.12.27 | p.63 |
2 | 新聞 | 日経産業新聞 | 日本の未来 技術で開く 政府、スター研究者に集中投資 産業界の期待高まる |
2010.8.30 | 19面 |
1 | 新聞 | 日経産業新聞 | 変わる最先端研究(中) 半導体「ムーア越え」へ 産学官連携 限界に挑む |
2010.5.26 | 1面、11面 |