番号 媒体の種類 放送チャンネル名・
掲載媒体名等		 番組名・掲載
見出し等		 放送・掲載
年月日		 掲載面等
121 雑誌 プラスチックスエージ 3 Vol.60 2014 Mar 単層カーボンナノチューブ量産技術 2014.2.21 p.26
120 雑誌 日経エレクトロニクス 特集　炭素から新産業 2014.2.17 p. 21-44
119 web J-Net21 (WEB) 半導体型単層カーボンナノチューブを選択的に合成する技術開発に成功　−最大98％の高い選択率を実現− 2014.2.17 HP
118 新聞 化学工業日報 半導体型単層CNTを選択的に合成　産総研が新技術 2014.2.13 8面
117 web EE Times Japan (WEB) 産総研、半導体型単層カーボンナノチューブの選択的合成に成功 2014.2.13 HP
116 web マイナビニュース (WEB) 産総研、金属触媒を予め調整する半導体型単層CNTの選択的合成技術を開発 2014.2.13 HP
115 web 日経バイオテクONLINE (WEB) 産業技術総合研究所、半導体型単層カーボンナノチューブを選択的に合成する技術開発に成功－最大98％の高い選択率を実現－ 2014.2.13 HP
114 web 日経プレスリリース (WEB) 産総研、半導体型単層カーボンナノチューブを選択的に合成する技術開発に成功 2014.2.13 HP
113 web 産総研プレスリリース 半導体型単層カーボンナノチューブを選択的に合成する技術開発に成功 2014.2.12 HP
112 雑誌 AEI Febrary 2014 Graphene Replaces Copper in Ultra-Narrow LSI Wiring 2014.2.1 p. 68-69
111 web 日刊工業新聞 (WEB) 産総研など、電子移動度を２倍に向上したＩｎＧａＡｓトランジスタ開発 2014.1.15 HP
110 web 日刊工業新聞 (WEB) 産総研、３次元ＬＳＩ向けゲルマニウム素子動作に成功－小型・高機能化に道 2013.12.18 HP
109 新聞 化学工業日報 多結晶Ｇｅ　ｐ、ｎ両極性のトランジスタ動作に成功 2013.12.16 8面
108 web 日経ビジネスオンライン ひらめき支える充実時間
平日は次世代LSIの研究開発にまい進		 2013.12.13 HP
107 新聞 化学工業日報 グラフェン微細配線開発　ＬＳＩ銅配線を代替へ 2013.12.13 8面
106 web 日刊工業新聞 (WEB) 産総研、グラフェンで超微細配線を作製－断線に強く銅並み抵抗率 2013.12.13 HP
105 web 環境ビジネスオンライン (WEB) カーボンナノチューブを使った集積回路の配線が新開発　1ケタ以上低い抵抗 2013.12.13 HP
104 web 日経バイオテクONLINE (WEB) 独立行政法人 産業技術総合研究所、カーボンナノチューブのインプラントによる新たな配線作製技術 2013.12.13 HP
103 web マイナビニュース (WEB) シリコン貫通電極への応用に期待! - 産総研、新たなCNT配線作製技術を開発 2013.12.13 HP
102 web マイナビニュース (WEB) 産総研、多結晶Geでp/n両極性のトランジスタ動作に成功 - CMOS回路も視野に 2013.12.13 HP
101 新聞 化学工業日報 産総研　高温合成で抵抗改善
CNT配線 製作の新技術　LSIなど応用へ		 2013.12.12 8面
100 web 日刊工業新聞 (WEB) 産総研、CNTで配線作製－基板の微細穴に転写・挿入 2013.12.12 HP
99 web マイナビニュース (WEB) 産総研、20nm幅の多層グラフェン配線を作製し、低抵抗、高信頼性を実証 2013.12.12 HP
98 web 日経プレスリリース (WEB) 産総研、カーボンナノチューブを利用した新たな配線作製技術を開発 2013.12.12 HP
97 web J-Net21 (WEB) カーボンナノチューブのインプラントによる新たな配線作製技術－LSI配線やシリコン貫通電極への応用に期待－ 2013.12.12 HP
96 web ASCII.jp (WEB) チップの消費電力を1/100にするかもしれないカーボン系ナノ配線技術 2013.12.12 HP
95 web 日経バイオテクONLINE (WEB) 産業技術総合研究所、20nm幅の高性能なグラフェン微細配線を開発－LSI銅微細配線の代替に期待－ 2013.12.12 HP
94 web 日経プレスリリース (WEB) 産総研、多結晶ゲルマニウムでp、n両極性のトランジスタ動作に成功 2013.12.12 HP
93 web 産総研プレスリリース 多結晶ゲルマニウムでp、n両極性のトランジスタ動作に成功 2013.12.12 HP
92 web 産総研プレスリリース カーボンナノチューブ・インプラントによる新たな配線作製技術を開発 2013.12.11 HP
91 web マイナビニュース (WEB) IEDM 2013 - 産総研、新構造で2倍性能が向上したInGaAsトランジスタを開発 2013.12.11 HP
90 web 日経バイオテクONLINE (WEB) 産業技術総合研究所、InGaAsトランジスタの性能向上のための新構造を開発 2013.12.11 HP
89 web 日経プレスリリース (WEB) 産総研、20nm幅の高性能なグラフェン微細配線を開発 2013.12.11 HP
88 web 産総研プレスリリース 20nm幅高性能グラフェン微細配線を開発 2013.12.11 HP
87 web 化学工業日報 (WEB) 産総研、住友化学など 高電子移動度トランジスタ開発 2013.12.10 HP
86 web 日経プレスリリース 産総研と東工大など、InGaAsトランジスタの性能向上のための新構造を開発 2013.12.10 HP
85 web 産総研プレスリリース InGaAsトランジスタの性能向上のための新構造を開発 2013.12.10 HP
84 新聞 日刊工業新聞 検証　最先端研究開発支援プログラム　FIRST
産総研・横山直樹氏　【LSIナノテク】　消費電力 数十分の１に		 2013.10.16 21面
83 新聞 日刊工業新聞 検証　最先端研究開発支援プログラム　FIRST
産総研・横山直樹氏【LSIナノテク】消費電力 数十分の１に		 2013.10.16 21面
82 web EDN Asia (WEB) Tunnel FET architecture reduces IC power consumption 2013.8.23 HP
81 web Nanowerk (WEB) New tunnel FET architecture shows potential for substantial performance improvements 2013.8.21 HP
80 web Phys.org (WEB) Tunnel FET having a new architecture with potential for substantial improvement in performance 2013.8.21 HP
79 web マイナビニュース (WEB) 産総研など、多層グラフェンを用いた微細配線作製技術を開発 2013.6.18 HP
78 新聞 日刊工業新聞 産総研、多層グラフェン使い微細配線の作製技術を開発 2013.6.18 23面
77 web 日経プレスリリース (WEB) 産総研、多層グラフェンを用いた微細配線作製技術を開発 2013.6.17 HP
76 web 産総研プレスリリース 多層グラフェンを用いた微細配線作製技術を開発 2013.6.17 HP
75 新聞 日刊工業新聞 産総研、新構造のトンネルＦＥＴ開発－動作電流は最大１００倍 2013.6.13 21面
74 新聞 日刊工業新聞 産業技術研究所　ゲルマニウム素子のスイッチング特性　5ケタ超実証 2013.6.12 19面
73 新聞 化学工業日報 産業技術総合研究所が開発　新構造トンネルFET　10～100倍の動作電流 2013.6.12 8面
72 新聞 日刊工業新聞 産業技術総合研究所・住友化学　低電圧CMOS　動作実証 2013.6.11 21面
71 新聞 鉄鋼新聞 産業技術総合研究所と住友化学　超低消費電力LSI実現へ
CMOSインバーター試作		 2013.6.11 6面
70 新聞 日経産業新聞 動作電流、10～100倍
次世代トランジスタ開発		 2013.6.11 9面
69 web 日刊工業新聞 (WEB) 産総研・住化、LSIの低電力化に寄与するCMOSインバーター開発 2013.6.11 HP
68 web マイナビニュース 産総研、3D IC向け多結晶Geトランジスタで5桁を超えるオンオフ比を実証 2013.6.10 HP
67 web マイナビニュース 産総研、新構造のトンネルFETで従来比最大100倍の動作電流を得ることに成功 2013.6.10 HP
66 web マイナビニュース 産総研など、GeとInGaAsを用いたCMOSインバータの動作を実証 2013.6.10 HP
65 web 日経プレスリリース 産総研、新たな立体構造を採用した合成電界トンネルFETの動作を実証 2013.6.10 HP
64 web 日経プレスリリース 産総研、３次元積層集積回路向け多結晶Geトランジスタで実用並みのスイッチング特性を実証 2013.6.10 HP
63 web 日経プレスリリース 産総研、GeとInGaAsを用いたCMOSインバーターの動作を実証 2013.6.10 HP
62 web 産総研プレスリリース 大幅な性能向上が期待できる新たな構造のトンネルFET 2013.6.10 HP
61 web 産総研プレスリリース 3次元積層集積回路のための多結晶ゲルマニウムトランジスタ 2013.6.10 HP
60 web 産総研プレスリリース GeとInGaAsを用いたCMOSインバーターの動作を実証 2013.6.10 HP
59 新聞 茨城新聞 ナノテク英知結集
ICT省電力実現へ		 2013.4.28 1面
58 新聞 日経産業新聞 インタビュー日本の頭脳7
LSI省電力化　横山直樹・産総研連携研究体長
新材料で「ムーア」超える		 2013.4.12 10面
57 web ExtremeTech Researchers create CMOS-compatible, 30nm programmable graphene transistor 2013.2.26 HP
56 web Printed Electronics World Graphene transistor with a new operating principle 2013.2.21 HP
55 web Nanowerk Researchers fabricate a transistor with a channel length of 3 nanometers 2013.2.19 HP
54 web Phys.Org Success in operation of transistor with channel length of 3 nm 2013.2.19 HP
53 web Phys.Org Development of graphene transistor with new operating principle 2013.2.19 HP
52 web AZoNano AIST, NIMS Develop Novel Graphene Transistor 2013.1.21 HP
51 web House of Japan AIST Uses CNTs for TSVs by Improving Heat Conductivity 2012.12.20 HP
50 web EDR,LLC 産総研、チャネル長3nmのトランジスタ動作に成功 2012.12.17 HP
49 新聞 化学工業日報 トランジスタ　チャンネル長3ナノ実現 2012.12.14 8面
48 新聞 化学工業日報 グラフェン用い新トランジスタ
-低消費電力で高速動作
-回路形成後の構成変更も		 2012.12.13 8面
47 web マイナビニュース IEDM 2012 - 産総研、チャネル長約3nmのトランジスタ動作実証に成功 2012.12.13 HP
46 web 日経プレスリリース 産総研、チャネル長３nmのトランジスタ動作に成功 2012.12.12 HP
45 web 日刊工業新聞 産総研、チャネル長3nmのトランジスタ動作に成功 2012.12.12 HP
44 web 産総研プレスリリース チャネル長3 nmのトランジスタ動作に成功 2012.12.12 HP
43 新聞 日刊工業新聞 産総研と物材機構、新動作原理のグラフェントランジスタ開発－電気制御で極性反転 2012.12.11 14面
42 web Tech-On！ 産総研などが4端子のロジック用グラフェン・トランジスタを作製 2012.12.11 HP
41 web EDR,LLC 産総研、新しい動作原理のグラフェントランジスタを開発 2012.12.11 HP
40 web マイナビニュース IEDM 2012 -産総研、約4桁の電流オン・オフ比のグラフェントランジスタを開発 2012.12.11 HP
39 web 日経プレスリリース 産総研、極性を電気的に制御できる新しい動作原理のグラフェントランジスタを開発 2012.12.11 HP
38 web 産総研プレスリリース 新しい動作原理のグラフェントランジスタを開発 2012.12.11 HP
37 web EDN Asia AIST develops graphene conductivity control technique 2012.11.27 HP
36 web ElectronicsOnline Development of novel conduction control technique for graphene 2012.11.23 HP
35 web Innovations Report Researchers have developed a novel technique for controlling the electrical conductivity of graphene. 2012.11.19 HP
34 web AZoNano Innovative Technique to Control Electrical Conductivity of Graphene 2012.11.17 HP
33 web Nanowerk A novel conduction control technique for graphene 2012.11.16 HP
32 新聞 科学新聞 グラフェンの伝導制御技術－産総研・物材機構など開発－ 2012.10.5 4面
31 web マイナビニュース (WEB) 産総研など、グラフェンで室温動作のスイッチングトランジスタを作成 2012.9.26 HP
30 新聞 日刊工業新聞 グラフェン電気伝導制御
-産総研と物材機構　室温でオン・オフ動作-		 2012.9.26 22面
29 web マイナビニュース (WEB) 産総研、トンネルFET実現に向けた回路シミュレータ用素子動作モデルを開発 2012.9.26 HP
28 新聞 化学工業日報 産総研　トンネルＦＥＴ　素子動作モデル開発 -省電力ＬＳＩ回路に道- 2012.9.26 4面
27 新聞 日刊工業新聞 トンネル電界効果素子の回路設計用動作モデルを開発 2012.9.26 22面
26 web 産総研プレスリリース グラフェンの新しい伝導制御技術を開発 2012.9.25 HP
25 web 産総研プレスリリース トンネル電界効果トランジスタの素子動作モデルを開発 2012.9.25 HP
24 新聞 化学工業日報 LSI 省電力化に貢献　産業技術総合研究所が開発　ひずみGeナノトランジスタ 2012.6.13 8面
23 web マイナビニュース (WEB) 産総研、高性能歪みゲルマニウムナノワイヤトランジスタを開発 2012.6.12 HP
22 新聞 日刊工業新聞 LSI 省電力技術向上　VLSIシンポジウム2012 2012.6.12 23面
21 web 日刊工業新聞 (WEB) VLSIシンポ2012／産総研、圧縮ひずみ高めるナノワイヤトランジスタ 2012.6.12 HP
20 web 日本経済新聞 (WEB) 産総研、高性能ひずみゲルマニウムナノワイヤトランジスタを実現 2012.6.11 HP
19 web 産総研プレスリリース 高性能ひずみゲルマニウムナノワイヤトランジスタを実現 2012.6.11 HP
18 雑誌 産総研 TODAY 非磁性相変化固体メモリーから巨大磁気抵抗効果 2012.6.1 vol.12 no.6 pp.21
17 新聞 電波新聞 アイクストロンSE　300ミリウエハー上にグラフェン製造 2012.4.13 1面
16 web Solid State Technology Graphene grown on 300mm wafers with AIXTRON tool in Japan 2012.4.12 HP
15 web electronicsfeed.com Japan's AIST uses Aixtron System 2012.4.12 HP
14 web Semiconductor Today Japan's AIST achieves graphene production on 300mm wafers using Aixtron system 2012.4.11 HP
13 雑誌 リーチレター No.597 科学の知識　相変化固体メモリーから巨大磁気抵抗効果が出現 2011.11.30 p.8-11
12 新聞 映像新聞 産総研　超高密度記録へ　常温で2000%磁気抵抗効果を発見 2011.10.31 13面
11 web つくばサイエンス
ニュース		 相変化メモリーが巨大磁気抵抗効果示すことを発見 2011.10.26 HP
10 web ナノテクジャパン
(トピックス)		 相変化固体メモリから巨大磁気抵抗効果が出現～常温で2000%を越える磁気抵抗比～ 2011.10.24 HP
9 web EDR,LLC
(業界最新ニュース)		 産総研､PCRAMが常温で巨大な磁気抵抗効果を示すことを発見 2011.10.17 HP
8 新聞 日刊工業新聞 "相変化メリー
常温で巨大な磁気抵抗効果"		 2011.10.17 19面
7 web セキュリティオンラインニュース 相変化固体メモリーから巨大磁気抵抗効果が出現 2011.10.14 HP
6 web マイコミジャーナル 産総研、PCRAMとMRAMを統合した不揮発性メモリの実現に向けた技術を発表 2011.10.14 HP
5 web 日本経済新聞 電子版 産総研、相変化固体メモリーが常温で巨大な磁気抵抗効果を示すことを発見 2011.10.14 HP
4 web プレスリリース 相変化固体メモリーから巨大磁気抵抗効果が出現 2011.10.14 HP
3 雑誌 日経エレクトロニクス 実用化競争に入ったグラフェン
「神の材料」の応用例が続々		 2010.12.27 p.63
2 新聞 日経産業新聞 日本の未来 技術で開く
政府、スター研究者に集中投資
産業界の期待高まる		 2010.8.30 19面
1 新聞 日経産業新聞 変わる最先端研究(中)
半導体「ムーア越え」へ
産学官連携 限界に挑む		 2010.5.26 1面、11面