公開特許
産業財産権の出願(出願中で未登録)
番号 | 概 要 |
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19 | 名称 | 半導体記憶装置およびその製造方法 | ||
発明者 | 森川 貴博、新谷 俊通 | |||
権利者 | 産総研 | 種類、番号 | US-2013-0221310-A1 | |
出願年月日 | H25.2.22 | 国内外の別 | 国外(米国) |
18 | 名称 | 抵抗変化メモリ | ||
発明者 | 中野 美尚 | |||
権利者 | 産総研 | 種類、番号 | 特開2013-197172 | |
出願年月日 | H24.3.16 | 国内外の別 | 国内 |
17 | 名称 | スピン電子メモリ及びスピン電子回路 | ||
発明者 | 富永 淳二、Kolobov Alexander、Fons Paul | |||
権利者 | 産総研 | 種類、番号 | (公開)201336051 | |
出願年月日 | H24.11.28 | 国内外の別 | 国外(台湾) |
16 | 名称 | スピン電子メモリ及びスピン電子回路 | ||
発明者 | 富永 淳二、Kolobov Alexander、Fons Paul | |||
権利者 | 産総研 | 種類、番号 | WO2013/125101 | |
出願年月日 | H24.11.2 | 国内外の別 | 国外(PCT) |
15 | 名称 | 素子形成用基板及びその製造方法 | ||
発明者 | 池田 圭司 | |||
権利者 | 産総研 | 種類、番号 | (公開)201330272 | |
出願年月日 | H24.11.15 | 国内外の別 | 国外(台湾) |
14 | 名称 | 半導体装置およびその製造方法 | ||
発明者 | 小池 正浩、上牟田 雄一、手塚 勉 | |||
権利者 | 産総研 | 種類、番号 | (公開)201330272 | |
出願年月日 | H24.11.22 | 国内外の別 | 国外(台湾) |
13 | 名称 | 相変化メモリ | ||
発明者 | 新谷 俊通、小高 貴浩、森川 貴博 | |||
権利者 | 産総研 | 種類、番号 | US-2013-0048938-A1 | |
出願年月日 | 2012.8.20 | 国内外の別 | 国外(米国) |
12 | 名称 | 電子装置 | ||
発明者 | 原田 直樹、佐藤 信太郎 | |||
権利者 | 産総研 | 種類、番号 | 特開2013-046028 | |
出願年月日 | H23.8.26 | 国内外の別 | 国内 |
11 | 名称 | 相変化メモリ | ||
発明者 | 新谷 俊通、小高 貴浩、森川 貴博 | |||
権利者 | 産総研 | 種類、番号 | 特開2013-045954 | |
出願年月日 | H23.8.25 | 国内外の別 | 国内 |
10 | 名称 | 不揮発性半導体記憶装置 | ||
発明者 | 小高 貴浩、新谷 俊通、森川 貴博 | |||
権利者 | 産総研 | 種類、番号 | 特開2013-045892 | |
出願年月日 | H23.8.24 | 国内外の別 | 国内 |
9 | 名称 | グラフェンの合成方法並びに半導体装置及びその製造方法 | ||
発明者 | 近藤 大雄 | |||
権利者 | 産総研 | 種類、番号 | 特開2013-021149 | |
出願年月日 | H23.7.12 | 国内外の別 | 国内 |
8 | 名称 | 化合物半導体装置の製造方法 | ||
発明者 | 入沢 寿史、小田 穣、手塚 勉 | |||
権利者 | 産総研 | 種類、番号 | 特開2013-008832 | |
出願年月日 | H23.6.24 | 国内外の別 | 国内 |
7 | 名称 | グラフェンリボンの製造方法 | ||
発明者 | 林 賢二郎 | |||
権利者 | 産総研 | 種類、番号 | 特開2013-006742 | |
出願年月日 | H23.6.24 | 国内外の別 | 国内 |
6 | 名称 | 半導体装置及びその製造方法 | ||
発明者 | 中払 周 | |||
権利者 | 産総研 | 種類、番号 | 特開2013-004718 | |
出願年月日 | H23.6.16 | 国内外の別 | 国内 |
5 | 名称 | 炭素膜の形成装置、及び炭素膜の形成方法 | ||
発明者 | 中野 美尚 | |||
権利者 | 産業技術総合研究所 | 種類、番号 | 特開2012-246193 | |
出願年月日 | H23.5.30 | 国内外の別 | 国内 |
4 | 名称 | 電子デバイス及びその製造方法 | ||
発明者 | 佐藤 信太郎 | |||
権利者 | 産業技術総合研究所 | 種類、番号 | 特開2012-212877 | |
出願年月日 | H24.3.16 | 国内外の別 | 国内 |
3 | 名称 | トンネルトランジスタの製造方法 | ||
発明者 | 森 貴洋、堀川 剛 | |||
権利者 | 産業技術総合研究所 | 種類、番号 | 特開2012-204583 | |
出願年月日 | H23.3.25 | 国内外の別 | 国内 |
2 | 名称 | 固体メモリ | ||
発明者 | 富永淳二、Kolobov Alexander、Fons Paul、新谷俊通、小高貴浩、森川貴博 | |||
権利者 | 産業技術総合研究所 | 種類、番号 | 特開2012-182242 | |
出願年月日 | H23.2.28 | 国内外の別 | 国内 |
1 | 名称 | 固体メモリ | ||
発明者 | 富永淳二、Kolobov Alexander、Fons Paul、新谷俊通、小高貴浩、森川貴博 | |||
権利者 | 産業技術総合研究所 | 種類、番号 | WO2012/117773A1 | |
出願年月日 | H24.1.25 | 国内外の別 | 国外 (PCT) |
産業財産権の出願(登録済み)
番号 | 名称 | 発明者 | 権利者 | 種類、番号 | 出願年月日 | 国内外の別 |
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